Crecimiento de heteroestructuras de GaSb/GalnAsSb/GaSb por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida
José Fernando Gómez, Ana Patricia Cardona, Marianela De-Los-Ríos and 2 more
Revista de Investigaciones Universidad del Quindío · 2009
doi:10.33975/riuq.vol19n1.770 (opens in a new tab)
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Abstract
En este trabajo se muestran algunos resultados preliminares del proceso de crecimiento por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb. Se describe el proceso de fabricación de la heteroestructura así como también se muestran los resultado obtenidos de su caracterización por Difracción de Rayos X (DRX) y Fotoluminiscencia (FL) los cuales evidencian el crecimiento epitaxial de la heteroestructura.
Abstract licence: CC BY-NC-ND
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