THE CUBIC HIGH-TEMPERTURE MODIFICATION OF GALLIUM SULPHIDE (xS = 59 mol %) AND THE T, x-DIAGRAM OF THE Ga – S SYSTEM

Уточнена фазовая диаграмма системы Ga – S в области составов от 30.0 до 60.7 mol % серы и в области температур от комнатной до 1220 °С. Выделена и структурно охарактеризована фаза s-Ga2S3, имеющая сфалеритоподобную структуру (пр. гр. , параметр решетки 5.21 Å) с дефицитом атомов в подрешетке галлия, существование которой подтверждено также термическими методами анализа. Определены температурные зависимости параметров решеток моноклинной фазы a-Ga2S3 (Cc) и гексагональной слоистой фазы b-GaS (P63/mmc), причем показано, что параметр c последней существенно зависит от температуры вследствие увеличения ван-дер-ваальсовой щели. ИСТОЧНИК ФИНАНСИРОВАНИЯ Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ, проект 18-33-00900-мол-а. ЛИТЕРАТУРА Kogler M., Kock E. M., Klotzer B., Penner S. Phys. Chem. – Amer. Chem. Soc., 2016, vol. 120, iss. 39, pp. 22443–22454. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6b07234 Lokshin E. P., Sidneva T. A. prikl. chim. [Russian Journal of Applied Chemistry], 2006, vol. 79, iss. 8, pp. 1220–1224. https://doi.org/10.1134/s1070427206080027 Xu M., Liang T., Shi M., Chen H. Rev., 2013, vol. 113, pp. 3766–3798. https://doi.org/10.1021/cr300263a Zhang M. J., Jiang X. M., Zhou L. J., Guo G. C. Mater. Chem., vol. C1, 2013. pp. 4754–4760. https://doi.org/10.1039/c3tc30808a Parthé E. Elements of Inorganic Structural Chemistry. Wien, 1990, 144 p. Pardo M., Tomas A., Guittard M. Res. Bull., 1987, vol. 22, pp. 1677–1684. https://doi.org/10.1016/0025-5408(87)90011-0 Pardo M. P., Guittard M., Chilouet A. Pardo M. P., Guittard M., Chilouet A. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423–433. https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054 Ormont B. F. Vvedenie v physicheskuyu chimiyu i cristallochimiyu poluprovodnikov [Introduction to Physical Chemistry and Crystal Chemistry of Semiconductors]. Moscow, Vysshaya shkola Publ., 1982, 528 p. (in Russ.) Berezin S. S., Zavrazhnov A. Yu., Naumov A. V. , Nekrylov I. N., Brezhnev N. Yu. Condensed Matter and Interphases, 2017, vol. 19, no. 3, pp. 321–335. URL: https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/208/26 (in Russ.) Zavrazhnov A., Berezin S., Kosyakov A., Naumov A., Berezina, Brezhnev N. J. Thermal Analysis and Calorimetry, 2018, vol. 134, iss. 1, pp. 483–492. https://doi.org/10.1007/s10973-018-7124-z Nolze G., Kraus W. Powder Diffraction, 1998, vol. 13, no. 4, pp. 256–259. Holland J. B., Redfern S. A. T. J. Appl. Cryst., 1997, vol. 30, p. 84. https://doi.org/10.1107/s0021889896011673 Goodyear J., Steigmann G. A. Acta Crystallogr., 1963, vol. 16, pp. 946–949. https://doi.org/10.1107/s0365110x63002565 Kuhn A., Bourdon A., Rigoult J., Rimsky A. Rev. B, 1982, v. 25, iss. 6, pp. 4081 – 4088. https://doi.org/10.1103/physrevb.25.4081 Hahn H., Klingler W. Anorg. Allgem. Chemie, 1949, vol. 259, pp. 135–142. https://doi.org/10.1002/zaac.19492590111 Webster J. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering. John Wiley & Sons, 1999, pp. 147–158. https://doi.org/10.1002/047134608x Pardo M.P., Guittard M., Chilouet A. Pardo M.P., Guittard M., Chilouet A. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423–433. https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054 Webster J. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering. John Wiley & Sons, 1999, pp. 147–158. https://doi.org/10.1002/047134608x Berezin S. S., Berezina V., Zavrazhnov A. Yu. Inorganic Materials, 2013, vol. 49, no. 6, pp. 555–563.https://doi.org/10.1134/s0020168513060010 Streetman G. Solid State Electronic Devices, Pearson, 2016, 621 p.

Abstract licence: CC BY

14 more references, whose wording the paper’s licence keeps private.

A person counts once a day per paper. We keep no cookie and no address: a reader is a hash that changes every day. Any month under five reads shows no number.